原文：https://video.creaders.net/2023/03/11/2586219.html
砸钱也没用！中共又被美国甩出“几千里”
美中芯片战打得热火朝天，美国对中共芯片业的出口管制持续加码，涉及芯片、超级计算、云计算等领域的中国龙头业者几乎已列入黑名单，最新在列的有浪潮、龙芯等，而中共在习近平的亲自指挥下正加码押注举国体制造芯。然而，美国科技巨头应用材料公司公布的新工具表明，中共要想单独赶上世界领先的芯片生产技术几乎是不可能。有分析这样形容，应用材料的最新突破代表着中共在芯片制造方面又被美国甩出“几千里”。
综合报道，2月底，应用材料公司（Applied Materials）公布了一项突破性的图案化（patterning）技术，称为Centura Sculpta系统，核心是“pattern shaping”的新工艺步骤，可帮助芯片制造商以更少的极紫外（EUV）光刻步骤生产高性能的晶体管和内连布线，从而降低先进芯片制程的成本、复杂性和环境影响性。
目前，芯片制造过程中常见的多重图案化方案如“光刻-蚀刻-光刻-蚀刻”，其工艺流程要经过两次完整的光刻周期，需要几十个不同的工艺步骤，成本因此也不断增加。而这项新技术提供了一个替代方案，简单说就是使用一束等离子体来修改硅片上的芯片特征尺寸，减少了反覆蚀刻的步骤。应用材料公司表示，这项新技术是为高级逻辑节点中最关键的图案层而设计的，不但降低了设计成本和复杂性，而且消除了双重图案化对准失误带来的产量风险。同时还能节约大量的成本：每月10万枚初制芯片（wafer starts）的产能将节省约2.5亿美元的成本；每枚芯片可节省约50美元的制造成本；每枚芯片可节省约15升的用水等等。
现在，极紫外光刻（EUV）光刻工具的成本大约为1.7亿美元，而荷兰芯片制造商阿斯麦（ASML）的下一代高NA（数值孔径）工具的成本可能会翻一番，第一批机器计划在2024年之前交付。应用材料公司表示，新技术可以将一些关键层的极紫外光刻技术使用量减少一半，而半导体行业分析师估计，它可以将极紫外光刻工具的总单位需求减少近20%。新工具的推出也将进一步加速极紫外光刻市场的增长。全球领先公司TechInsights的半导体行业趋势分析师哈奇森称赞说：这项新技术是自化学机械平面化推出以来芯片制造领域最具创新性的新工艺步骤。有分析指出，在为人工智能、量子计算和其它高科技产业开发下一代芯片的竞赛中，中共将会被甩得更远。美国的制裁已经禁止向中共出口极紫外光刻工具。没有这些工具，7纳米和5纳米工艺经济成本太高，3纳米、2纳米及更小的工艺根本无法实施。
另一方面，3月7日，中共两会公布了《国务院机构改革方案》，组建中央科技委员会。方案提到，“面对国际科技竞争和外部遏制打压的严峻形势”，要在关键核心技术上攻坚克难，加快实现“科技自立自强”。学者认为，中共在无路可走的情况下，加码押注举国体制造芯，但很难有所突破。台湾大学电机系教授林宗男指出，芯片越先进，纳米数越微小，其精细度远不是靠砸钱就能做得起来，“中共过去砸大钱、倾全国资源在某些产业，例如太阳能产业，能取得一定的成绩，不过，这些产业的技术门槛比较低，在芯片这个非常特殊的高精细产业上，注定无法复制过去的经验。”
然而，明知短期内不会有成果，未来很可能以烂尾告终，习近平为何还要砸钱造芯，加码下注半导体产业？有分析指出，中共领导人习近平在当前的情况下，谈自力更生，并非相信举国体制可以迎来半导体行业快速发展，而是迫于现实，美国显然短时间不会对华放松管制，甚至将不断联合其它国家进一步卡脖子。在全世界围堵的情况之下，中共只能靠自己，打出自力更生的旗号。
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